Это своего рода ответ на заявление IBM, которое было сделано в начале мая.
Исследователи связывают возможность повышения плотности элементов с тем, что в качестве контактных электродов вместо кремния можно использовать полуметаллический висмут в виде двумерной пленки толщиной в несколько атомов. Как ожидается, это позволит снизить сопротивление и повысить допустимые значения тока, повысив энергоэффективность будущего чипа.
На протяжении последних десятилетий производители микросхем пытались разместить как можно большее количество транзисторов на как можно более малой площади, но уже на границе 3нм-2нм достигли пределов того, что можно "выжать" из кремния, основного на сегодня материала для изготовления полупроводников. Это стимулирует поиск двумерных материалов для замены кремния, что, как ожидается, и позволит сократить размер нод на чипе до 1нм и ниже.
Висмут не относят к редкоземельным металлам, но его мировая добыча это всего около 6000 тонн в год. Его и так используют в производстве электроники и в других отраслях промышленности. Если новые технологии производства современных процессоров переведут на висмут, можно с уверенностью прогнозировать рост в цене этого металла.
Еще одно интересное соображение состоит в том, что возможно за перевод технологии 1нм из категории "в принципе возможно" в категорию "мы умеем выпускать чипы с нодами такого размера" заплатят американцы. Они уже договорились с TSMC о строительстве нового завода этой компании в США, так что вполне логичным выглядит предположение, что новый техпроцесс попробуют наладить на этом, наиболее современном предприятии. Это будет в интересах, как TSMC, так и США, в том числе, по политическим соображениям, т.к. позволит говорить о контроле над самой современной в мире технологией.
--
Комментариев нет:
Отправить комментарий