Качество картинки (слайдов) и звук далеки от идеала, но посмотреть может быть любопытно.
----
Показаны сообщения с ярлыком SiC. Показать все сообщения
Показаны сообщения с ярлыком SiC. Показать все сообщения
Микроэлектроника: Д.Малой с докладом "Fast Switching yet Cost Effective: Ultra-Fast IGBT-Based Modules Compete SiC in Real-Life High-Frequency Applications"
Ведущий инженер-исследователь ОРП IGBT Денис Олегович Малый, Протон-Электротекс, на выставке PCIM Europe 2019 представил доклад "Fast Switching yet Cost Effective: Ultra-Fast IGBT-Based Modules Compete SiC in Real-Life High-Frequency Applic".
За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro
Микроэлектроника: Рынку силовых полупроводников на базе SiC прочат рост до $1.11 млрд к 2025 году
Если рынок силовых полупроводников на базе карбида кремния действительно вырастет до $1.11 млрд в 2025 году, как прогнозируют аналитики Allied Market Research, это будет соответствовать среднегодовому приросту в 18.1% в период с 2018 по 2025 год.
Росту спроса на полупроводники из карбида кремния (SiC) способствуют такие факторы, как:
+ преимущества SiC полупроводников по-сравнению с традиционной кремниевой технологией;
+ рост спроса на силовые модули в различных областях экономики;
+ рост установок солнечных фотоэлектропреобразователей для производства электричества;
+ гибридный электротранспорт;
Вместе с тем, бурному развитию отрасли мешает высокая стоимость пластин для производства полупроводников на базе карбида кремния, сложные цепочки поставок, сложности разработки полупроводников на базе SiC.
Существенного импульса, который будет способствовать росту спроса на полупроводниковые изделия на базе SiC, в отрасли ожидают по мере развития технологий мобильной связи и ШПД 5G в ближайшем будущем.
Рынок полупроводников на базе SiC принято делить на рынок силовых полупроводниковых устройств и рынок дискретных приборов, первый по итогам 2017 года занимал 2/3 всего рынка. Вместе с тем, отмечаются более высокие темпы роста (на 19,5% в год в период прогноза) рынка дискретных SiC приборов.
Основные рынки, где востребованы полупроводниковые изделия на базе SiC это IT и телеком, аэрокосмическая и оборонная отрасли, промышленность, производство энергии, электроника, автопром, здравоохранение. Крупнейшим является сегмент IT и телекома, на его долю приходится более, чем пятая часть рынка. Тем не менее, от сегмента автоматизации ожидается самый быстрый среднегодовой рост - 20.5% в период прогноза.
Основной рынок таких приборов - это Азиатско-Тихоокеанский регион, где потребляется примерно половина всех приборов на базе SiC. Вдобавок ожидается рост этого региона - примерно на 19% в год в среднем в период прогноза.
Основные участники рынка производителей приборов на базе SiC: Microsemi Corporation, Infineon Technologies AG, Power Integrations, General Electric, Fairchild Semiconductor, Toshiba Corporation, NXP Semiconductors, STMicroelectronics, Renesas Electronics Corporation, Tokyo Electron Limited, ROHM и Cree, Inc. Источник: hitechnewsdaily.com
Чем известен карбид кремния применительно к полупроводниковому производству?
Это материал, используемый в микроэлектронике. Хорошо отводит тепло (в три раза лучше, чем кремний, в 10 раз лучше арсенида галлия), уступая разве что арсениду бора. Высокие допустимые рабочие температуры. Устойчив к воздействию радиации. Используется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, n-МОП транзисторах и высокотемпературных тиристорах. Популярно использование SiC в качестве подложки для выращивания светодиодов из нитрида галлия, а также в качестве теплораспределителя в мощных светодиодах.
За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro
Росту спроса на полупроводники из карбида кремния (SiC) способствуют такие факторы, как:
+ преимущества SiC полупроводников по-сравнению с традиционной кремниевой технологией;
+ рост спроса на силовые модули в различных областях экономики;
+ рост установок солнечных фотоэлектропреобразователей для производства электричества;
+ гибридный электротранспорт;
Вместе с тем, бурному развитию отрасли мешает высокая стоимость пластин для производства полупроводников на базе карбида кремния, сложные цепочки поставок, сложности разработки полупроводников на базе SiC.
Существенного импульса, который будет способствовать росту спроса на полупроводниковые изделия на базе SiC, в отрасли ожидают по мере развития технологий мобильной связи и ШПД 5G в ближайшем будущем.
Рынок полупроводников на базе SiC принято делить на рынок силовых полупроводниковых устройств и рынок дискретных приборов, первый по итогам 2017 года занимал 2/3 всего рынка. Вместе с тем, отмечаются более высокие темпы роста (на 19,5% в год в период прогноза) рынка дискретных SiC приборов.
Основные рынки, где востребованы полупроводниковые изделия на базе SiC это IT и телеком, аэрокосмическая и оборонная отрасли, промышленность, производство энергии, электроника, автопром, здравоохранение. Крупнейшим является сегмент IT и телекома, на его долю приходится более, чем пятая часть рынка. Тем не менее, от сегмента автоматизации ожидается самый быстрый среднегодовой рост - 20.5% в период прогноза.
Основной рынок таких приборов - это Азиатско-Тихоокеанский регион, где потребляется примерно половина всех приборов на базе SiC. Вдобавок ожидается рост этого региона - примерно на 19% в год в среднем в период прогноза.
Основные участники рынка производителей приборов на базе SiC: Microsemi Corporation, Infineon Technologies AG, Power Integrations, General Electric, Fairchild Semiconductor, Toshiba Corporation, NXP Semiconductors, STMicroelectronics, Renesas Electronics Corporation, Tokyo Electron Limited, ROHM и Cree, Inc. Источник: hitechnewsdaily.com
Чем известен карбид кремния применительно к полупроводниковому производству?
Это материал, используемый в микроэлектронике. Хорошо отводит тепло (в три раза лучше, чем кремний, в 10 раз лучше арсенида галлия), уступая разве что арсениду бора. Высокие допустимые рабочие температуры. Устойчив к воздействию радиации. Используется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, n-МОП транзисторах и высокотемпературных тиристорах. Популярно использование SiC в качестве подложки для выращивания светодиодов из нитрида галлия, а также в качестве теплораспределителя в мощных светодиодах.
----
Микроэлектроника: Wolfspeed выпустил силовой высоковольтный MOSFET SiC ключ с отводом Кельвина
Компания Wolfspeed представила дискретное изделие, выполненное по планарной технологии MOSFET на карбиде кремния SiC. Ключ отличается низким сопротивлением открытого канала Rds(on) в 0.016 Ом при температуре 25 C и уровне блокирующего напряжения в 1200 В. Ток может достигать уровня в 115 А. Использование подобных устройств позволяет отказаться от классических кремниевых трехуровневых топологий за счет использования более простых двухуровневых.
Добавление отдельного вывода сигнала истока (отвода Кельвина в корпусе TO-247-4) позволяет еще более сократить потери переключения, вплоть до 30%, если сравнивать с использованием традиционного трехвыводного корпуса ТО-247. Такой подход позволяет повысить эффективность переключения, избежав влияния паразитной индуктивности на выводе истока и связанных с ней повышенных потерь при увеличении частоты переключения.
Краткие характеристики:
Обладаюшее минимальным сопротивлением в режиме "включен" и низким зарядом затвора, изделие C3M0016120K предназначено для трехфазных топологий PFC без мостов, а также для использования в инверторах и зарядных устройствах.
По ссылке приведены рекомендуемые дизайны, в которых применяют приборы на основе карбида кремния. Новинку, в частности, можно применять в системах фотоэлектрических преобразователей энергии Солнца, в системах хранения энергии, в зарядных устройствах для электротранспорта, в блоках UPS, для управления электромоторами, в источниках питания с коммутируемым режимом.
Подробнее об изделии: wolfspeed.com
----
За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro
Добавление отдельного вывода сигнала истока (отвода Кельвина в корпусе TO-247-4) позволяет еще более сократить потери переключения, вплоть до 30%, если сравнивать с использованием традиционного трехвыводного корпуса ТО-247. Такой подход позволяет повысить эффективность переключения, избежав влияния паразитной индуктивности на выводе истока и связанных с ней повышенных потерь при увеличении частоты переключения.
Краткие характеристики:
Обладаюшее минимальным сопротивлением в режиме "включен" и низким зарядом затвора, изделие C3M0016120K предназначено для трехфазных топологий PFC без мостов, а также для использования в инверторах и зарядных устройствах.
По ссылке приведены рекомендуемые дизайны, в которых применяют приборы на основе карбида кремния. Новинку, в частности, можно применять в системах фотоэлектрических преобразователей энергии Солнца, в системах хранения энергии, в зарядных устройствах для электротранспорта, в блоках UPS, для управления электромоторами, в источниках питания с коммутируемым режимом.
Подробнее об изделии: wolfspeed.com
----
За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro
Подписаться на:
Сообщения (Atom)