Президент Южной Кореи заявил, что инвестиции Samsung Electronics в размере 6 трлн вон ($4,48 млрд) в строительство зданий и чистых помещений будущего завода по упаковке чипов высокоскоростной памяти (HBM) в Асане (Южная Корея) позволит привлечь около 40 трлн вон дальнейших инвестиций в передовое оборудование. Г-н Ли сделал это заявление в ходе церемонии закладки первого камня в рамках части инвестиционных планов, объявленных аффилированными компаниями Samsung в июле 2026 года.
Samsung Electronics сообщила в презентации, что новая линия по производству HBM должна начать работу в июне 2028 года - на год раньше первоначально запланированного срока, поскольку компания стремится удовлетворить быстрорастущий спрос на серверную память. Планируется, что новый завод HBM получит 3 этажа чистых помещений общей площадью около 31 000 кв. м.
Церемония закладки состоялась всего через 4 месяца после того, как Samsung Group объявила о планах инвестировать в регион Чхунчхон около 140 трлн вон, а затем увеличила эту сумму до 144 трлн вон. Сокращение сроков стало возможным поскольку власти провинции Чхунчхон-Намдо и города Асан сократили время выдачи разрешений примерно до трети от обычного срока, что позволило начать строительство досрочно. Планируемый завод в Асане - часть более широкой инициативы правительства Кореи по созданию «мегапроектов» в трёх регионах – Чхунчхон (центр), Хонам (юго-запад) и Ённам (юго-восток) - с целью превратить Южную Корею в промышленную державу эпохи ИИ и стимулировать инвестиции за пределами столичного региона.
Samsung планирует производить на новом предприятии упаковку HBM4E следующего поколения. Общая площадь кампуса Онян (так называется кампус Samsung Electronics в городе Асан, провинция Чхунчхон-Намдо) после завершения строительства вырастет с 270 000 до примерно 420 000 кв. метров. До сих пор, с 1991 года здесь занимались традиционной сборкой и тестированием микросхем. В Хонам планируется инвестировать 800 трлн вон для создания кластера по производству пластин для выпуска памяти (с участием Samsung и SK Hynix), в Ённам – примерно 312 трлн вон. Проект в Асане станет первым камнем в фундаменте всей трехрегиональной стратегии.
Высокие темпы стройки Samsung демонстрирует стремление компании сократить разрыв с SK Hynix, которая контролирует более половины мирового рынка HBM. Инвестиции в 40 трлн вон в оборудование после первоначальных 6 трлн на строительство сигнализируют, что Samsung делает ставку не только на расширение мощностей, но и на технологическое лидерство в упаковке - сегменте, где до сих пор доминировала TSMC с более чем 80% рынка 2.5D-упаковки. Если Samsung удастся предложить интегрированную модель «память + логика + упаковка» в одном месте, это усилит позиции компании в цепочке поставок ИИ-чипов, хотя и конкуренты в это время не будут стоять на месте. ||
--
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
--
теги: микроэлектроника участники рынка упаковка микросхем современная упаковка производство памяти Корея