Совместная группа исследователей из Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR), TU Dresden и NaMLab показала заметное повышение подвижности электронов в нанопроводах после их растяжения. Как ожидается, это позволит выиграть в производительности, повысив тепловой и энергетический к.п.д. полупроводниковых устройств.
Важно отметить, что речь идет о применении хорошо известных материалов - исследовались особенности нанопроводов из арсенида галлия, материала, который отличается высокой внутренней подвижностью электронов.
В опубликованном в журнале Nature исследовании, используется известное уникальное свойство нанопроволок, заключающееся в том, что они могут подвергаться значительным упругим деформациям без повреждения их атомной структуры.
Ученые проверяли - будет ли выше подвижность электронов в деформированной кристаллической структуре. Для этого нанопроволоку из арсенида галлия поместили в оболочку из арсенида индия и алюминия. Было выявлено существенно, не менее, чем на 30% повышение подвижности электронов в "напряженном" нанопроводе из арсенида галлия. В теории можно будет добиться еще большего повышения подвижности электронов, вплоть до 50%, уверены ученые. Применение такого материала для изготовления полупроводниковых транзисторов обещает возможность заметного повышения их быстродействия, надеются ученые.
Сейчас команда исследователей работает над созданием рабочего прототипа, который бы позволил обеспечить возможность практического использования выявленного эффекта.
Источник: tomshardware.com
--
Комментариев нет:
Отправить комментарий