НИИЭТ займется разработками GaN полупроводников для систем 5G в составе АНО ТТ

АО НИИЭТ стал резидентом консорциума АНО ТТ (Телекоммуникационные технологии), образованного госкорпорацией Ростех, ПАО Ростелеком и группой компаний Элемент. 

«В радиоэлектронной отрасли наше предприятие – один из ведущих разработчиков и производителей сложных изделий микроэлектроники: микроконтроллеров, микропроцессоров, цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, интерфейсных интегральных микросхем, СВЧ-транзисторов и модулей усиления мощности СВЧ-диапазона. Сильная сторона НИИЭТ – хороший дизайн-центр по разработке как СВЧ-техники, так и изделий микроэлектроники. Разработчики в нашем институте сильнейшие, одни из лучших в России. Сегодня предприятие намерено включиться в создание систем 5G, организовать производство продукции на основе нитрида галлия (полупроводник с рекордными характеристиками) и вывести ее на экспорт. Статус резидента даст НИИЭТ возможность установить необходимые производственные связи, привлечь финансирование и государственную поддержку для вывода на рынок телекоммуникационной продукции российского производства», – отметил генеральный директор АО «НИИЭТ».

«Наша общая задача – проработать в том числе нелинейные варианты, чтобы перестать быть шахматной доской и стать игроками на этом поле. Именно поэтому крайне важно объединить усилия всех участников рынка и профильных министерств – у нас должно быть полное взаимопонимание и согласованность усилий в решении этой государственной задачи», – убеждена генеральный директор АНО «Телекоммуникационные технологии» Гульнара Хасьянова.

На июль 2020 года в работе консорциума принимает участие 41 предприятие.

Позитивная новость для российского рынка микроэлектроники и электроники. В то же время, нельзя не отметить, что разработки полупроводников для систем 5G должны были начаться, минимум, 5 лет тому назад. Любое предприятие, которое начинает заниматься ими сейчас, уже запаздывает на рынок. В этом плане идеи вывода соответствующих изделий на экспорт выглядят... смело. 

Так или иначе, не могу не приветствовать идеи разработок российской нитрид-галлиевой микроэлектроники. Как ожидают аналитики MarketWatch, рынок силовых устройств на базе нитрида галлия вырастет до $1.5 млрд к 2024 году, что соответствует среднегодовым темпам роста в 28% в прогнозируемый период.  Приборы GaN будут востребованы в 2022 году - в объеме $460 млн, демонстрируя в предстоящий период среднегодовой рост в 79% CAGR. 

Источник: niiet.ru 

--

@RUSmicro - новости микроэлектроники в Telegram