Исследователи Университета Мессины, Италия, и Северо-Западного Университета, США, представили новый тип магнитной памяти, основанный на использовании антиферромагнетиков (AFM). Как ожидается, это может привести к созданию оперативной памяти MRAM, cовмещающей свойства высокого быстродействия и низкого энергопотребления.
В антиферромагнетиках спины ориентированы антипараллельно, поэтому материал не обладает макроскопической намагниченностью, при том, что его атомы могут ее демонстрировать. В таком материале можно хранить 1 бит информации всего на 12 атомах, тогда как в современных магнитных накопителях для этого требуется не менее 1 млн атомов.
Исследователи под руководством Педрам Халили экспериментируют с элементами, выполненными из платинового марганца. Размеры элементов - 800 нм, меньше, чем в схожих разработках на базе других материалов. Разработчики отмечают, что новая технология совместима с существующим производством полупроводников. Тем не менее, до ее практического использования может пройти еще немало времени.
Подробнее: https://www.cnews.ru/news/top/2020-03-01_dlya_iskusstvennogo_intellekta
----
За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro ; или в FB: facebook.com/RUSmicro/
Подписаться на:
Комментарии к сообщению (Atom)
Желающие следить за новостями блога, могут подписаться на рассылку на follow.it (отписаться вы сможете в один клик).
Еще можно подписаться на Telegram-каналы @abloud62 @abloudrealtime, где также дублируются анонсы практически всех новостей блога.
Комментариев нет:
Отправить комментарий