NXP усиливает позиции в 5G за счет нового завода GaN-полупроводников в Аризоне

Компания NXP Semiconductors на днях объявила об официальном открытии нового фаба по производству высокочастотных GaN (нитрид галлиевых) полупроводников на пластинах диаметром 150мм в Чандлере, штат Аризона. Утверждается, что это самое передовое производство усилителей мощности для решений 5G в США. Новое производство безусловно усиливает позиции NXP Semiconductors в области продукции для систем связи 5G. 

Нитрид галлия - это новый "золотой стандарт" для систем 5G

В системах 5G выросла плотность радиочастотных решений, необходимых для каждой антенны. Но при этом актуальными являются задачи сохранения компактных размеров и снижение энергопотребления. Решить обе эти задачи помогает применение силовых транзисторов на основе GaN.

NXP обладает опытом разработок GaN-приборов около 20 лет, технология оптимизирована с тем, чтобы добиваться повышенного захвата электронов полупроводником, чтобы добиваться высокой энергоэффективности этих приборов и высокой линейности характеристик. 

Компания Ericsson, давний клиент NXP Semiconductors позитивно прокомментировала открытие нового производства. Также позитивно высказался в отношении развития производственных мощностей NXP губернатор Дуг Дьюси, отметив, что в регионе появилось больше рабочих мест. 

Как ожидается, новое производство будет не только выпускать GaN-полупроводники, но также поможет в исследованиях и разработках NXP, сократив длительность цикла инноваций. 

Первые продукты с нового производства уже начали выходить на рынок, выход на полную мощность запланирован еще до конца 2020 года. 

Примеры приборов для систем 5G, которые выпускает новое производство: nxp.com 

--

telegram - @RUSmicro ; facebook, Instagram - подключайтесь, чтобы получать анонсы о новых публикациях

НИИЭТ займется разработками GaN полупроводников для систем 5G в составе АНО ТТ

АО НИИЭТ стал резидентом консорциума АНО ТТ (Телекоммуникационные технологии), образованного госкорпорацией Ростех, ПАО Ростелеком и группой компаний Элемент. 

«В радиоэлектронной отрасли наше предприятие – один из ведущих разработчиков и производителей сложных изделий микроэлектроники: микроконтроллеров, микропроцессоров, цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, интерфейсных интегральных микросхем, СВЧ-транзисторов и модулей усиления мощности СВЧ-диапазона. Сильная сторона НИИЭТ – хороший дизайн-центр по разработке как СВЧ-техники, так и изделий микроэлектроники. Разработчики в нашем институте сильнейшие, одни из лучших в России. Сегодня предприятие намерено включиться в создание систем 5G, организовать производство продукции на основе нитрида галлия (полупроводник с рекордными характеристиками) и вывести ее на экспорт. Статус резидента даст НИИЭТ возможность установить необходимые производственные связи, привлечь финансирование и государственную поддержку для вывода на рынок телекоммуникационной продукции российского производства», – отметил генеральный директор АО «НИИЭТ».

«Наша общая задача – проработать в том числе нелинейные варианты, чтобы перестать быть шахматной доской и стать игроками на этом поле. Именно поэтому крайне важно объединить усилия всех участников рынка и профильных министерств – у нас должно быть полное взаимопонимание и согласованность усилий в решении этой государственной задачи», – убеждена генеральный директор АНО «Телекоммуникационные технологии» Гульнара Хасьянова.

На июль 2020 года в работе консорциума принимает участие 41 предприятие.

Позитивная новость для российского рынка микроэлектроники и электроники. В то же время, нельзя не отметить, что разработки полупроводников для систем 5G должны были начаться, минимум, 5 лет тому назад. Любое предприятие, которое начинает заниматься ими сейчас, уже запаздывает на рынок. В этом плане идеи вывода соответствующих изделий на экспорт выглядят... смело. 

Так или иначе, не могу не приветствовать идеи разработок российской нитрид-галлиевой микроэлектроники. Как ожидают аналитики MarketWatch, рынок силовых устройств на базе нитрида галлия вырастет до $1.5 млрд к 2024 году, что соответствует среднегодовым темпам роста в 28% в прогнозируемый период.  Приборы GaN будут востребованы в 2022 году - в объеме $460 млн, демонстрируя в предстоящий период среднегодовой рост в 79% CAGR. 

Источник: niiet.ru 

--

@RUSmicro - новости микроэлектроники в Telegram 

Микроэлектроника: Нитрид галлия - материал с перспективами

🔬 Материалы. Нитрид галлия, GaN, материал с большим будущим, особенно, что касается СВЧ-приборов. Но если в ряде стран он уже активно применяется в серийном производстве, то в России пока что с ним больше экспериментируют, а о возможности собственного серийного производстве полного цикла пока что вряд ли можно говорить. А жаль, полупроводник действительно интересный, особенно для СВЧ-применений. 

Вашему вниманию - подборка материалов по перечисленным на картинке направлениям. http://www.mforum.ru/news/article/120916.htm 

Нет вашей компании, а вы активно занимаетесь темой GaN? Напишите мне об этом!

----

За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro ; или в FB: facebook.com/RUSmicro/

Микроэлектроника: В ИФП РАН придумали как пустить кислород в буферный слой полупроводников на основе GaN

🇷🇺 Техпроцессы. GaN - интересный материал для полупроводников. Он имеет массу свойств, заставляющих отдавать ему предпочтение перед традиционными кремниевыми технологиями.

Проблемой при изготовлении GaN-приборов является кислород. Он может встраиваться в кристаллическую структуру полупроводника, вызывая токи утечки в буферном слое и, тем самым, ухудшая электрофизические свойства. Поэтому производство ведут в условиях вакуума. Также проблему решают дополнительным введением углерода или железа для захвата "лишних" электронов.

В ИФП РАН придумали альтернативный метод - буферный слой создается при рассчитанных оптимальных параметрах роста (на нижней границе температуры - 800 градусов и при скорости потока аммиака 250 мл в минуту), так удается создавать слой с высоким сопротивлением, но с минимальным вхождением кислорода.

В планах - апробировать техпроцесс на установке Riber Compact 21-N. Подробнее: popmech.ru  

----

За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro ; или в FB: facebook.com/RUSmicro/