Новосибирский завод "Экран-оптические системы" приступил к производству нитридгаллиевых, GaN, пластин

Перспективные материалы | GaN

Новосибирский завод "Экран-оптические системы" приступил к производству нитридгаллиевых, GaN, пластин.

Для этого ранее была приобретена установка молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) у компании Riber, Франция. Отработкой технологических процессов занимались в лаборатории МЛЭ ИФП СО РАН им. А.В.Ржанова.

Установка позволяет создавать пластины с полупроводниковыми гетероструктурами на основе арсенида галлия, GaAs, и нитрида галлия, GaN. Эти материалы, особенно GaN, считаются перспективными при изготовлении СВЧ-полупроводников, например, для оборудования 5G. Стоимость проекта оценивается в 30 млн евро.

Источник: https://futurerussia.gov.ru/nacionalnye-proekty/novosibirskij-zavod-pervyj-v-rossii-zapustil-proizvodstvo-plastin-dla-mikroelektroniki

Подробнее о GaN: http://www.mforum.ru/news/article/120916.htm

Изготовители пластин: http://www.mforum.ru/news/article/121506.htm

----

За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro ; или в FB: facebook.com/RUSmicro/