NXP усиливает позиции в 5G за счет нового завода GaN-полупроводников в Аризоне

Компания NXP Semiconductors на днях объявила об официальном открытии нового фаба по производству высокочастотных GaN (нитрид галлиевых) полупроводников на пластинах диаметром 150мм в Чандлере, штат Аризона. Утверждается, что это самое передовое производство усилителей мощности для решений 5G в США. Новое производство безусловно усиливает позиции NXP Semiconductors в области продукции для систем связи 5G. 

Нитрид галлия - это новый "золотой стандарт" для систем 5G

В системах 5G выросла плотность радиочастотных решений, необходимых для каждой антенны. Но при этом актуальными являются задачи сохранения компактных размеров и снижение энергопотребления. Решить обе эти задачи помогает применение силовых транзисторов на основе GaN.

NXP обладает опытом разработок GaN-приборов около 20 лет, технология оптимизирована с тем, чтобы добиваться повышенного захвата электронов полупроводником, чтобы добиваться высокой энергоэффективности этих приборов и высокой линейности характеристик. 

Компания Ericsson, давний клиент NXP Semiconductors позитивно прокомментировала открытие нового производства. Также позитивно высказался в отношении развития производственных мощностей NXP губернатор Дуг Дьюси, отметив, что в регионе появилось больше рабочих мест. 

Как ожидается, новое производство будет не только выпускать GaN-полупроводники, но также поможет в исследованиях и разработках NXP, сократив длительность цикла инноваций. 

Первые продукты с нового производства уже начали выходить на рынок, выход на полную мощность запланирован еще до конца 2020 года. 

Примеры приборов для систем 5G, которые выпускает новое производство: nxp.com 

--

telegram - @RUSmicro ; facebook, Instagram - подключайтесь, чтобы получать анонсы о новых публикациях

Комментариев нет:

Отправка комментария

Подписывайтесь на мой Youtube-канал

и на мой Telegram-канал

Популярные сообщения