Микроэлектроника: В ИФП РАН придумали как пустить кислород в буферный слой полупроводников на основе GaN

🇷🇺 Техпроцессы. GaN - интересный материал для полупроводников. Он имеет массу свойств, заставляющих отдавать ему предпочтение перед традиционными кремниевыми технологиями.

Проблемой при изготовлении GaN-приборов является кислород. Он может встраиваться в кристаллическую структуру полупроводника, вызывая токи утечки в буферном слое и, тем самым, ухудшая электрофизические свойства. Поэтому производство ведут в условиях вакуума. Также проблему решают дополнительным введением углерода или железа для захвата "лишних" электронов.

В ИФП РАН придумали альтернативный метод - буферный слой создается при рассчитанных оптимальных параметрах роста (на нижней границе температуры - 800 градусов и при скорости потока аммиака 250 мл в минуту), так удается создавать слой с высоким сопротивлением, но с минимальным вхождением кислорода.

В планах - апробировать техпроцесс на установке Riber Compact 21-N. Подробнее: popmech.ru  

----

За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro ; или в FB: facebook.com/RUSmicro/